Způsob výroby epitaxní struktury s InGaN kvantovými jamami
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F19%3A00519846" target="_blank" >RIV/68378271:_____/19:00519846 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/308/308024.pdf" target="_blank" >https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/308/308024.pdf</a>
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Způsob výroby epitaxní struktury s InGaN kvantovými jamami
Popis výsledku v původním jazyce
Vynález se týká způsobu přípravy InGaN kvantových jam (QW) pomocí organokovové epitaxe nebo epitaxe z molekulárních svazků. Podstata vynálezu spočívá ve způsobu překrývání InGaN tenkých vrstev (QW), které brání nežádoucí desorpci In z InGaN vrstvy a navíc má takto připravené rozhraní dokonalejší krystalografickou strukturu. Překryv InGaN kvantových jam probíhá bez přerušení růstu během procesu zvyšování teploty na teplotu nutnou pro kvalitní růst bariérové, nejčastěji GaN vrstvy. Při růstu krycí vrstvy může být do reaktoru s výhodou přidáváno malé množství In, čímž je ještě účinněji bráněno desorpci In z InGaN QW. Zvýšení koncentrace InN složky v QW způsobem podle tohoto vynálezu je čtyřnásobné, jak bylo ukázáno na výsledcích měření metodou hmotnostní spektroskopie sekundárně odprášených iontů s vysokým hloubkovým rozlišením. Struktury s takto připraveným rozhraním mají několikanásobně vyšší intenzitu luminiscence.
Název v anglickém jazyce
Method of producing an epitaxial structure with InGaN quantum wells
Popis výsledku anglicky
Vynález se týká způsobu přípravy InGaN kvantových jam (QW) pomocí organokovové epitaxe nebo epitaxe z molekulárních svazků. Podstata vynálezu spočívá ve způsobu překrývání InGaN tenkých vrstev (QW), které brání nežádoucí desorpci In z InGaN vrstvy a navíc má takto připravené rozhraní dokonalejší krystalografickou strukturu. Překryv InGaN kvantových jam probíhá bez přerušení růstu během procesu zvyšování teploty na teplotu nutnou pro kvalitní růst bariérové, nejčastěji GaN vrstvy. Při růstu krycí vrstvy může být do reaktoru s výhodou přidáváno malé množství In, čímž je ještě účinněji bráněno desorpci In z InGaN QW. Zvýšení koncentrace InN složky v QW způsobem podle tohoto vynálezu je čtyřnásobné, jak bylo ukázáno na výsledcích měření metodou hmotnostní spektroskopie sekundárně odprášených iontů s vysokým hloubkovým rozlišením. Struktury s takto připraveným rozhraním mají několikanásobně vyšší intenzitu luminiscence.
Klasifikace
Druh
P - Patent
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/TH02010580" target="_blank" >TH02010580: Rychlá zobrazovací stínítka pro ionizující, UV, EUV záření</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2019
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Číslo patentu nebo vzoru
308024
Vydavatel
CZ001 -
Název vydavatele
Industrial Property Office
Místo vydání
Prague
Stát vydání
CZ - Česká republika
Datum přijetí
18. 9. 2019
Název vlastníka
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Způsob využití
A - Výsledek využívá pouze poskytovatel
Druh možnosti využití
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence