Twin domain structure in magnetically doped Bi2Se3 topological insulator
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F20%3A00535332" target="_blank" >RIV/68378271:_____/20:00535332 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216208:11320/20:10417839
Výsledek na webu
<a href="http://hdl.handle.net/11104/0313386" target="_blank" >http://hdl.handle.net/11104/0313386</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.3390/nano10102059" target="_blank" >10.3390/nano10102059</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Twin domain structure in magnetically doped Bi2Se3 topological insulator
Popis výsledku v původním jazyce
Twin domains are naturally present in the topological insulator Bi2Se3 and strongly affect its properties. While studies of their behavior in an otherwise ideal Bi2Se3 structure exist, little is known about their possible interaction with other defects. Extra information is needed, especially for the case of an artificial perturbation of topological insulator states by magnetic doping, which has attracted a lot of attention recently. Employing ab initio calculations based on a layered Green’s function formalism, we study the interaction between twin planes in Bi2Se3. We show the influence of various magnetic and nonmagnetic chemical defects on the twin plane formation energy and discuss the related modification of their distribution.n
Název v anglickém jazyce
Twin domain structure in magnetically doped Bi2Se3 topological insulator
Popis výsledku anglicky
Twin domains are naturally present in the topological insulator Bi2Se3 and strongly affect its properties. While studies of their behavior in an otherwise ideal Bi2Se3 structure exist, little is known about their possible interaction with other defects. Extra information is needed, especially for the case of an artificial perturbation of topological insulator states by magnetic doping, which has attracted a lot of attention recently. Employing ab initio calculations based on a layered Green’s function formalism, we study the interaction between twin planes in Bi2Se3. We show the influence of various magnetic and nonmagnetic chemical defects on the twin plane formation energy and discuss the related modification of their distribution.n
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA19-13659S" target="_blank" >GA19-13659S: Rozhraní mezi tenkovrstvými chalkogenidy s obsahem železa a izolanty: vliv na strukturu, magnetismus a nekonvenční supravodivost.</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2020
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Nanomaterials
ISSN
2079-4991
e-ISSN
—
Svazek periodika
10
Číslo periodika v rámci svazku
10
Stát vydavatele periodika
CH - Švýcarská konfederace
Počet stran výsledku
18
Strana od-do
1-18
Kód UT WoS článku
000586230900001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85093684533