Front-side diamond deposition on the GaN membranes

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F20%3A00540751" target="_blank" >RIV/68378271:_____/20:00540751 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Front-side diamond deposition on the GaN membranes

Popis výsledku v původním jazyce

We present technological issues in the deposition of diamond films on the GaN membranes. Many wrinkles and the thicker diamond layer were observed at the membrane centre and poor quality diamond outside the membrane area. The deflection of the membranes were analyzed by a bulging method using white light interferometry. The membrane bending was discussed in the terms of temperature gradient and mismatch of thermal expansion coefficients of materials. Optimized technological procedure was proposed to obtain both-side diamond-coated GaN membranes with minimized effect of wrinkling and induced residual stress.

Název v anglickém jazyce

Front-side diamond deposition on the GaN membranes

Popis výsledku anglicky

We present technological issues in the deposition of diamond films on the GaN membranes. Many wrinkles and the thicker diamond layer were observed at the membrane centre and poor quality diamond outside the membrane area. The deflection of the membranes were analyzed by a bulging method using white light interferometry. The membrane bending was discussed in the terms of temperature gradient and mismatch of thermal expansion coefficients of materials. Optimized technological procedure was proposed to obtain both-side diamond-coated GaN membranes with minimized effect of wrinkling and induced residual stress.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2020

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the 13th International Conference on Advanced Semiconductor Devices And Microsystems

ISBN

978-1-7281-9776-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

42-45

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

New York

Místo konání akce

Smolenice

Datum konání akce

11. 10. 2020

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—