AlGaN/GaN micromembranes with diamond coating for high electron mobility transistors operated at high temperatures

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00436952" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00436952 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

AlGaN/GaN micromembranes with diamond coating for high electron mobility transistors operated at high temperatures

Popis výsledku v původním jazyce

In this work, we present an application of NCD layers as backside cooling for AlGaN/GaN heterostructures grown on Si substrates. In this case, diamond nucleation is the most limiting technological step due to low mechanical stability of GaN membranes. Weobserved that standard nucleation techniques (ultrasonic seeding or bias enhanced nucleation) caused cracking of the membranes or not appropriate nucleation efficiency in the Z-depth of structures. Therefore we implemented PVA polymer consisting of diamond powder as seeding composite which resulted in a successful growth of diamond thin film.

Název v anglickém jazyce

AlGaN/GaN micromembranes with diamond coating for high electron mobility transistors operated at high temperatures

Popis výsledku anglicky

In this work, we present an application of NCD layers as backside cooling for AlGaN/GaN heterostructures grown on Si substrates. In this case, diamond nucleation is the most limiting technological step due to low mechanical stability of GaN membranes. Weobserved that standard nucleation techniques (ultrasonic seeding or bias enhanced nucleation) caused cracking of the membranes or not appropriate nucleation efficiency in the Z-depth of structures. Therefore we implemented PVA polymer consisting of diamond powder as seeding composite which resulted in a successful growth of diamond thin film.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GP14-16549P" target="_blank" >GP14-16549P: Ladění elektrických vlastností hybridních struktur diamantu a galium nitridu řízenou optimalizací vnitřních pnutí</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

ASDAM 2014- Conference Proceedings: The 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems

ISBN

978-1-4799-5474-2

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

263-266

Název nakladatele

Slovak University of Technology

Místo vydání

Bratislava

Místo konání akce

Smolenice

Datum konání akce

20. 10. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—