Synthesis and physical properties of single-crystalline InTe: towards high thermoelectric performance
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F21%3A00542014" target="_blank" >RIV/68378271:_____/21:00542014 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1039/d1tc00876e" target="_blank" >https://doi.org/10.1039/d1tc00876e</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1039/d1tc00876e" target="_blank" >10.1039/d1tc00876e</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Synthesis and physical properties of single-crystalline InTe: towards high thermoelectric performance
Popis výsledku v původním jazyce
Chalcogenide semiconductors and semimetals continue to be of prime interest for thermoelectric applications in power generation. As another representative of this broad class of materials, tetragonal InTe has recently emerged as a promising candidate due to its very limited ability to transport heat leading to high thermoelectric performance near 800 K in polycrystalline samples. However, little is known on the basic physical mechanisms governing its electronic and thermal properties, an in-depth study of which requires the growth of single crystals. Here, we report a detailed investigation of the transport properties of InTe single crystals grown by the Bridgman–Stockbarger technique over a wide range of temperatures (5–800 K).
Název v anglickém jazyce
Synthesis and physical properties of single-crystalline InTe: towards high thermoelectric performance
Popis výsledku anglicky
Chalcogenide semiconductors and semimetals continue to be of prime interest for thermoelectric applications in power generation. As another representative of this broad class of materials, tetragonal InTe has recently emerged as a promising candidate due to its very limited ability to transport heat leading to high thermoelectric performance near 800 K in polycrystalline samples. However, little is known on the basic physical mechanisms governing its electronic and thermal properties, an in-depth study of which requires the growth of single crystals. Here, we report a detailed investigation of the transport properties of InTe single crystals grown by the Bridgman–Stockbarger technique over a wide range of temperatures (5–800 K).
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2021
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Materials Chemistry C
ISSN
2050-7526
e-ISSN
2050-7534
Svazek periodika
9
Číslo periodika v rámci svazku
15
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
11
Strana od-do
5250-5260
Kód UT WoS článku
000637105200001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85104632764