Characterization of radical-enhanced atomic layer deposition process based on microwave surface wave generated plasma
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F21%3A00552189" target="_blank" >RIV/68378271:_____/21:00552189 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/61989592:15310/21:73610034
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1063/5.0046829" target="_blank" >https://doi.org/10.1063/5.0046829</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/5.0046829" target="_blank" >10.1063/5.0046829</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Characterization of radical-enhanced atomic layer deposition process based on microwave surface wave generated plasma
Popis výsledku v původním jazyce
A plasma-assisted atomic layer deposition system employing a microwave surfatron plasma was developed and characterized by spatially resolved Langmuir probe diagnostics and optical emission spectroscopy. The deposition process was applied on TiO2 thin films prepared on Si wafers. The surfatron is equipped with a small ring electrode serving as a source of weak radio frequency plasma helping with fast and reliable ignition of the discharge in molecular gas. Results evaluated in the pure argon plasma proved that the plasma potential and the plasma density are homogeneous in the radial direction, while a rapid decrease was observed in the axial direction. Adding up to 30% of nitrogen into the gas mixture led to less homogeneous plasma parameters in the radial direction together with the increase of the electron effective temperature. Optical emission spectra revealed many Ar I lines of neutral atoms with only a few Ar II ions’ lines.
Název v anglickém jazyce
Characterization of radical-enhanced atomic layer deposition process based on microwave surface wave generated plasma
Popis výsledku anglicky
A plasma-assisted atomic layer deposition system employing a microwave surfatron plasma was developed and characterized by spatially resolved Langmuir probe diagnostics and optical emission spectroscopy. The deposition process was applied on TiO2 thin films prepared on Si wafers. The surfatron is equipped with a small ring electrode serving as a source of weak radio frequency plasma helping with fast and reliable ignition of the discharge in molecular gas. Results evaluated in the pure argon plasma proved that the plasma potential and the plasma density are homogeneous in the radial direction, while a rapid decrease was observed in the axial direction. Adding up to 30% of nitrogen into the gas mixture led to less homogeneous plasma parameters in the radial direction together with the increase of the electron effective temperature. Optical emission spectra revealed many Ar I lines of neutral atoms with only a few Ar II ions’ lines.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10305 - Fluids and plasma physics (including surface physics)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2021
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Applied Physics
ISSN
0021-8979
e-ISSN
1089-7550
Svazek periodika
130
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
18
Strana od-do
013301
Kód UT WoS článku
000668677200001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85109035104