Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Effects of grain boundaries on THz conductivity in the crystalline states of Ge2Sb2Te5 phase-change materials: correlation with DC loss

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F21%3A00553761" target="_blank" >RIV/68378271:_____/21:00553761 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.1002/pssr.202000411" target="_blank" >https://doi.org/10.1002/pssr.202000411</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssr.202000411" target="_blank" >10.1002/pssr.202000411</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Effects of grain boundaries on THz conductivity in the crystalline states of Ge2Sb2Te5 phase-change materials: correlation with DC loss

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Herein, in situ temperature-dependent THz and DC conductivity measurements in the crystalline states of Ge2Sb2Te5 (GST225) are performed at relatively high temperatures (>300 K). As observed in many nanomaterials, a non-Drude type of THz conductivity is found in the crystalline state of phase-change (PC) materials. Both the intra- and intergrain effects can be separated in the THz and DC conductivity. It is shown that grain boundaries significantly affect the THz and DC conductivities of the crystalline phase (distorted rock salt structure). The experimentally observed DC Hall mobility is different from the intragrain mobility extracted from the THz conductivity, suggesting that a series sequence of intra- and intergrain transport mechanisms controls the electronic transport in the crystalline state of GST225.

  • Název v anglickém jazyce

    Effects of grain boundaries on THz conductivity in the crystalline states of Ge2Sb2Te5 phase-change materials: correlation with DC loss

  • Popis výsledku anglicky

    Herein, in situ temperature-dependent THz and DC conductivity measurements in the crystalline states of Ge2Sb2Te5 (GST225) are performed at relatively high temperatures (>300 K). As observed in many nanomaterials, a non-Drude type of THz conductivity is found in the crystalline state of phase-change (PC) materials. Both the intra- and intergrain effects can be separated in the THz and DC conductivity. It is shown that grain boundaries significantly affect the THz and DC conductivities of the crystalline phase (distorted rock salt structure). The experimentally observed DC Hall mobility is different from the intragrain mobility extracted from the THz conductivity, suggesting that a series sequence of intra- and intergrain transport mechanisms controls the electronic transport in the crystalline state of GST225.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2021

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physica Status Solidi

  • ISSN

    1862-6254

  • e-ISSN

    1862-6270

  • Svazek periodika

    15

  • Číslo periodika v rámci svazku

    3

  • Stát vydavatele periodika

    DE - Spolková republika Německo

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    2000411

  • Kód UT WoS článku

    000577423100001

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85092402145