V-pits formation in InGaN/GaN: influence of threading dislocations and indium content

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F22%3A00556260" target="_blank" >RIV/68378271:_____/22:00556260 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00216208:11320/22:10443318 RIV/00216224:14310/22:00128729

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac5c1a" target="_blank" >https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac5c1a</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1361-6463/ac5c1a" target="_blank" >10.1088/1361-6463/ac5c1a</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

V-pits formation in InGaN/GaN: influence of threading dislocations and indium content

Popis výsledku v původním jazyce

Two sets of InGaN/GaN MOVPE-grown samples were studied by high-resolution x-ray diffraction techniques together with statistical analysis of atomic force microscope images in order to determine the impact of In concentration and threading dislocations (TDs) density on the V-pit formation. It was shown that in our samples, the density of V-pits in the epilayer matched the TD density with a screw component in the substrate. Pure edge TDs do not affect the V-pit density. The In concentration influences the size of the V-pits, but not their density.

Název v anglickém jazyce

V-pits formation in InGaN/GaN: influence of threading dislocations and indium content

Popis výsledku anglicky

Two sets of InGaN/GaN MOVPE-grown samples were studied by high-resolution x-ray diffraction techniques together with statistical analysis of atomic force microscope images in order to determine the impact of In concentration and threading dislocations (TDs) density on the V-pit formation. It was shown that in our samples, the density of V-pits in the epilayer matched the TD density with a screw component in the substrate. Pure edge TDs do not affect the V-pit density. The In concentration influences the size of the V-pits, but not their density.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2022

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Physics D-Applied Physics

ISSN

0022-3727

e-ISSN

1361-6463

Svazek periodika

55

Číslo periodika v rámci svazku

25

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

15

Strana od-do

255101

Kód UT WoS článku

000778222800001

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85128130915