Strain relaxation in InGaN/GaN epilayers by formation of V-pit detects studied by SEM, XRD and numerical simulations

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F21%3A10426552" target="_blank" >RIV/00216208:11320/21:10426552 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00216224:14310/21:00121246

Výsledek na webu

<a href="https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=ima-rI9R2y" target="_blank" >https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=ima-rI9R2y</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1107/S1600576720014764" target="_blank" >10.1107/S1600576720014764</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Strain relaxation in InGaN/GaN epilayers by formation of V-pit detects studied by SEM, XRD and numerical simulations

Popis výsledku v původním jazyce

V-pit defects in InGaN/GaN were studied by numerical simulations of the strain field and X-ray diffraction (XRD) reciprocal space maps. The results were compared with XRD and scanning electron microscopy (SEM) experimental data collected from a series of samples grown by metal-organic vapor phase epitaxy. Analysis of the principal strains and their directions in the vicinity of V-pits explains the pseudomorphic position of the InGaN epilayer peak observed by X-ray diffraction reciprocal space mapping. The top part of the InGaN layer involving V-pits relieves the strain by elastic relaxation. Plastic relaxation by misfit dislocations is not observed. The creation of the V-pits appears to be a sufficient mechanism for strain relaxation in InGaN/GaN epilayers.

Název v anglickém jazyce

Strain relaxation in InGaN/GaN epilayers by formation of V-pit detects studied by SEM, XRD and numerical simulations

Popis výsledku anglicky

V-pit defects in InGaN/GaN were studied by numerical simulations of the strain field and X-ray diffraction (XRD) reciprocal space maps. The results were compared with XRD and scanning electron microscopy (SEM) experimental data collected from a series of samples grown by metal-organic vapor phase epitaxy. Analysis of the principal strains and their directions in the vicinity of V-pits explains the pseudomorphic position of the InGaN epilayer peak observed by X-ray diffraction reciprocal space mapping. The top part of the InGaN layer involving V-pits relieves the strain by elastic relaxation. Plastic relaxation by misfit dislocations is not observed. The creation of the V-pits appears to be a sufficient mechanism for strain relaxation in InGaN/GaN epilayers.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2021

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Applied Crystallography

ISSN

0021-8898

e-ISSN

—

Svazek periodika

54

Číslo periodika v rámci svazku

Únor

Stát vydavatele periodika

DK - Dánské království

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

62-71

Kód UT WoS článku

000613988600008

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85110579005