Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Z3 charge density wave of silicon atomic chains on a vicinal silicon surface

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F22%3A00558816" target="_blank" >RIV/68378271:_____/22:00558816 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="https://hdl.handle.net/11104/0333948" target="_blank" >https://hdl.handle.net/11104/0333948</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1021/acsnano.2c00972" target="_blank" >10.1021/acsnano.2c00972</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Z3 charge density wave of silicon atomic chains on a vicinal silicon surface

  • Popis výsledku v původním jazyce

    An ideal one-dimensional electronic system is formed along atomic chains on Au-decorated vicinal silicon surfaces, but the nature of its low-temperature phases has been puzzling for last two decades. Here, we unambiguously identify the low-temperature structural distortion of this surface using high-resolution atomic force microscopy and scanning tunneling microscopy. The most important structural ingredient of this surface, the step-edge Si chains, are found to be strongly buckled, every third atom down, forming trimer unit cells. This observation is consistent with the recent model of rehybridized dangling bonds and rules out the antiferromagnetic spin ordering proposed earlier. The spectroscopy and electronic structure calculation indicate a charge density wave insulator with a Z3 topology, making it possible to exploit topological phases and excitations.

  • Název v anglickém jazyce

    Z3 charge density wave of silicon atomic chains on a vicinal silicon surface

  • Popis výsledku anglicky

    An ideal one-dimensional electronic system is formed along atomic chains on Au-decorated vicinal silicon surfaces, but the nature of its low-temperature phases has been puzzling for last two decades. Here, we unambiguously identify the low-temperature structural distortion of this surface using high-resolution atomic force microscopy and scanning tunneling microscopy. The most important structural ingredient of this surface, the step-edge Si chains, are found to be strongly buckled, every third atom down, forming trimer unit cells. This observation is consistent with the recent model of rehybridized dangling bonds and rules out the antiferromagnetic spin ordering proposed earlier. The spectroscopy and electronic structure calculation indicate a charge density wave insulator with a Z3 topology, making it possible to exploit topological phases and excitations.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GX20-13692X" target="_blank" >GX20-13692X: 1D molekulární řetízky na površích</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2022

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    ACS Nano

  • ISSN

    1936-0851

  • e-ISSN

    1936-086X

  • Svazek periodika

    16

  • Číslo periodika v rámci svazku

    4

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    7

  • Strana od-do

    6598-6604

  • Kód UT WoS článku

    000813109400001

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85128623375