Z3 charge density wave of silicon atomic chains on a vicinal silicon surface
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F22%3A00558816" target="_blank" >RIV/68378271:_____/22:00558816 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://hdl.handle.net/11104/0333948" target="_blank" >https://hdl.handle.net/11104/0333948</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1021/acsnano.2c00972" target="_blank" >10.1021/acsnano.2c00972</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Z3 charge density wave of silicon atomic chains on a vicinal silicon surface
Popis výsledku v původním jazyce
An ideal one-dimensional electronic system is formed along atomic chains on Au-decorated vicinal silicon surfaces, but the nature of its low-temperature phases has been puzzling for last two decades. Here, we unambiguously identify the low-temperature structural distortion of this surface using high-resolution atomic force microscopy and scanning tunneling microscopy. The most important structural ingredient of this surface, the step-edge Si chains, are found to be strongly buckled, every third atom down, forming trimer unit cells. This observation is consistent with the recent model of rehybridized dangling bonds and rules out the antiferromagnetic spin ordering proposed earlier. The spectroscopy and electronic structure calculation indicate a charge density wave insulator with a Z3 topology, making it possible to exploit topological phases and excitations.
Název v anglickém jazyce
Z3 charge density wave of silicon atomic chains on a vicinal silicon surface
Popis výsledku anglicky
An ideal one-dimensional electronic system is formed along atomic chains on Au-decorated vicinal silicon surfaces, but the nature of its low-temperature phases has been puzzling for last two decades. Here, we unambiguously identify the low-temperature structural distortion of this surface using high-resolution atomic force microscopy and scanning tunneling microscopy. The most important structural ingredient of this surface, the step-edge Si chains, are found to be strongly buckled, every third atom down, forming trimer unit cells. This observation is consistent with the recent model of rehybridized dangling bonds and rules out the antiferromagnetic spin ordering proposed earlier. The spectroscopy and electronic structure calculation indicate a charge density wave insulator with a Z3 topology, making it possible to exploit topological phases and excitations.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GX20-13692X" target="_blank" >GX20-13692X: 1D molekulární řetízky na površích</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2022
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
ACS Nano
ISSN
1936-0851
e-ISSN
1936-086X
Svazek periodika
16
Číslo periodika v rámci svazku
4
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
6598-6604
Kód UT WoS článku
000813109400001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85128623375