Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

InSe:Ge-doped InSe van der Waals heterostructure to enhance photogenerated carrier separation for self-powered photoelectrochemical-type photodetectors

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F22%3A00563785" target="_blank" >RIV/68378271:_____/22:00563785 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/60461373:22310/22:43924107

  • Výsledek na webu

    <a href="http://doi.org/10.1039/d1nr07150e" target="_blank" >http://doi.org/10.1039/d1nr07150e</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1039/d1nr07150e" target="_blank" >10.1039/d1nr07150e</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    InSe:Ge-doped InSe van der Waals heterostructure to enhance photogenerated carrier separation for self-powered photoelectrochemical-type photodetectors

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Two-dimensional (2D) van der Waals (vdW) materials with tunable heterostructures and superior optoelectronic properties have opened a new platform for various applications, e.g., field-effect transistors, ultrasensitive photodetectors and photocatalysts. In this work, an InSe/InSe(Ge) (germanium doped InSe) vdW heterostructure is designed to improve the photoresponse performance of sole InSe in a photoelectrochemical (PEC)-type photodetector. Photoelectrochemical measurements demonstrated that this heterostructure has excellent photoresponse characteristics, including a photocurrent density of 9.8 μA cm-2, a photo-responsivity of 64 μA W-1, and a response time/recovery time of 0.128 s/0.1 s.

  • Název v anglickém jazyce

    InSe:Ge-doped InSe van der Waals heterostructure to enhance photogenerated carrier separation for self-powered photoelectrochemical-type photodetectors

  • Popis výsledku anglicky

    Two-dimensional (2D) van der Waals (vdW) materials with tunable heterostructures and superior optoelectronic properties have opened a new platform for various applications, e.g., field-effect transistors, ultrasensitive photodetectors and photocatalysts. In this work, an InSe/InSe(Ge) (germanium doped InSe) vdW heterostructure is designed to improve the photoresponse performance of sole InSe in a photoelectrochemical (PEC)-type photodetector. Photoelectrochemical measurements demonstrated that this heterostructure has excellent photoresponse characteristics, including a photocurrent density of 9.8 μA cm-2, a photo-responsivity of 64 μA W-1, and a response time/recovery time of 0.128 s/0.1 s.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GA18-12761S" target="_blank" >GA18-12761S: Termoelektrické magnetické sulfidy</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2022

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Nanoscale

  • ISSN

    2040-3364

  • e-ISSN

    2040-3372

  • Svazek periodika

    14

  • Číslo periodika v rámci svazku

    14

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    13

  • Strana od-do

    5412-5424

  • Kód UT WoS článku

    000772122400001

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85127656929