InSe:Ge-doped InSe van der Waals heterostructure to enhance photogenerated carrier separation for self-powered photoelectrochemical-type photodetectors
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F22%3A00563785" target="_blank" >RIV/68378271:_____/22:00563785 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/60461373:22310/22:43924107
Výsledek na webu
<a href="http://doi.org/10.1039/d1nr07150e" target="_blank" >http://doi.org/10.1039/d1nr07150e</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1039/d1nr07150e" target="_blank" >10.1039/d1nr07150e</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
InSe:Ge-doped InSe van der Waals heterostructure to enhance photogenerated carrier separation for self-powered photoelectrochemical-type photodetectors
Popis výsledku v původním jazyce
Two-dimensional (2D) van der Waals (vdW) materials with tunable heterostructures and superior optoelectronic properties have opened a new platform for various applications, e.g., field-effect transistors, ultrasensitive photodetectors and photocatalysts. In this work, an InSe/InSe(Ge) (germanium doped InSe) vdW heterostructure is designed to improve the photoresponse performance of sole InSe in a photoelectrochemical (PEC)-type photodetector. Photoelectrochemical measurements demonstrated that this heterostructure has excellent photoresponse characteristics, including a photocurrent density of 9.8 μA cm-2, a photo-responsivity of 64 μA W-1, and a response time/recovery time of 0.128 s/0.1 s.
Název v anglickém jazyce
InSe:Ge-doped InSe van der Waals heterostructure to enhance photogenerated carrier separation for self-powered photoelectrochemical-type photodetectors
Popis výsledku anglicky
Two-dimensional (2D) van der Waals (vdW) materials with tunable heterostructures and superior optoelectronic properties have opened a new platform for various applications, e.g., field-effect transistors, ultrasensitive photodetectors and photocatalysts. In this work, an InSe/InSe(Ge) (germanium doped InSe) vdW heterostructure is designed to improve the photoresponse performance of sole InSe in a photoelectrochemical (PEC)-type photodetector. Photoelectrochemical measurements demonstrated that this heterostructure has excellent photoresponse characteristics, including a photocurrent density of 9.8 μA cm-2, a photo-responsivity of 64 μA W-1, and a response time/recovery time of 0.128 s/0.1 s.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA18-12761S" target="_blank" >GA18-12761S: Termoelektrické magnetické sulfidy</a><br>
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2022
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Nanoscale
ISSN
2040-3364
e-ISSN
2040-3372
Svazek periodika
14
Číslo periodika v rámci svazku
14
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
13
Strana od-do
5412-5424
Kód UT WoS článku
000772122400001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85127656929