Vacuum ultraviolet photoconductive detector based on anatase TiO2 thin film deposited on SiO2 substrate

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F22%3A00566731" target="_blank" >RIV/68378271:_____/22:00566731 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.matpr.2022.03.154" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.matpr.2022.03.154</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.matpr.2022.03.154" target="_blank" >10.1016/j.matpr.2022.03.154</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Vacuum ultraviolet photoconductive detector based on anatase TiO2 thin film deposited on SiO2 substrate

Popis výsledku v původním jazyce

We report on titanium dioxide (TiO2) thin film deposited on a quartz (SiO2) substrate as an improved photoconductive detector for radiation below 200 nm wavelength (vacuum ultraviolet region, VUV). The crystalline film has an anatase phase and an average crystallite size of 10.6 nm. It has a transmission edge at 322 nm and an optical band gap of 3.18 ± 0.02 eV. Under VUV illumination, the TiO2 photoconductive detector exhibited a photocurrent of 5.3 mA at an applied bias voltage of 100 V. The dark current measured without VUV illumination and at the same bias voltage is 8.8 x 106 mA, which is 6 orders of magnitude smaller compared to the photocurrent. The photoconductive VUV detector based on TiO2 thin film provides a means of directly measuring VUV radiation compared to detection via the photoluminescence of a scintillator.

Název v anglickém jazyce

Vacuum ultraviolet photoconductive detector based on anatase TiO2 thin film deposited on SiO2 substrate

Popis výsledku anglicky

We report on titanium dioxide (TiO2) thin film deposited on a quartz (SiO2) substrate as an improved photoconductive detector for radiation below 200 nm wavelength (vacuum ultraviolet region, VUV). The crystalline film has an anatase phase and an average crystallite size of 10.6 nm. It has a transmission edge at 322 nm and an optical band gap of 3.18 ± 0.02 eV. Under VUV illumination, the TiO2 photoconductive detector exhibited a photocurrent of 5.3 mA at an applied bias voltage of 100 V. The dark current measured without VUV illumination and at the same bias voltage is 8.8 x 106 mA, which is 6 orders of magnitude smaller compared to the photocurrent. The photoconductive VUV detector based on TiO2 thin film provides a means of directly measuring VUV radiation compared to detection via the photoluminescence of a scintillator.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

<a href="/cs/project/FV20580" target="_blank" >FV20580: Plošné optické struktury a ochranné prvky na bázi multivrstvých systémů</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2022

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Materials Today: Proceedings. Vol. 60

ISBN

—

ISSN

2214-7853

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

1160-1164

Název nakladatele

Elsevier Ltd.

Místo vydání

Amsterdam

Místo konání akce

Noida

Datum konání akce

19. 7. 2021

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000836437200028