Characterization of the polysilicon resistor in silicon strip sensors for ATLAS inner tracker as a function of temperature, pre- and post-irradiation
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F23%3A00574625" target="_blank" >RIV/68378271:_____/23:00574625 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1016/j.nima.2023.168119" target="_blank" >https://doi.org/10.1016/j.nima.2023.168119</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2023.168119" target="_blank" >10.1016/j.nima.2023.168119</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Characterization of the polysilicon resistor in silicon strip sensors for ATLAS inner tracker as a function of temperature, pre- and post-irradiation
Popis výsledku v původním jazyce
The high luminosity upgrade of the Large Hadron Collider, foreseen for 2029, requires the replacement of the ATLAS Inner Detector with a new all-silicon Inner Tracker (ITk). The expected ultimate total integrated luminosity of 4000 fb(-1) means that the strip part of the ITk detector will be exposed to the total particle fluences and ionizing doses reaching the values of 1.6 center dot 10(15) MeVn(eq)/cm(2) and 0.66MGy, respectively, including a safety factor of 1.5. Radiation hard n(+)-in-p micro-strip sensors were developed by the ATLAS ITk strip collaboration and are produced by Hamamatsu Photonics K.K.
Název v anglickém jazyce
Characterization of the polysilicon resistor in silicon strip sensors for ATLAS inner tracker as a function of temperature, pre- and post-irradiation
Popis výsledku anglicky
The high luminosity upgrade of the Large Hadron Collider, foreseen for 2029, requires the replacement of the ATLAS Inner Detector with a new all-silicon Inner Tracker (ITk). The expected ultimate total integrated luminosity of 4000 fb(-1) means that the strip part of the ITk detector will be exposed to the total particle fluences and ionizing doses reaching the values of 1.6 center dot 10(15) MeVn(eq)/cm(2) and 0.66MGy, respectively, including a safety factor of 1.5. Radiation hard n(+)-in-p micro-strip sensors were developed by the ATLAS ITk strip collaboration and are produced by Hamamatsu Photonics K.K.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10303 - Particles and field physics
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2023
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A
ISSN
0168-9002
e-ISSN
1872-9576
Svazek periodika
1050
Číslo periodika v rámci svazku
May
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
168119
Kód UT WoS článku
001035405300001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85149444393