Doping of n-type Bi2Se3 single crystal with Fe, Ru, Os, and Mo

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F24%3A00585970" target="_blank" >RIV/68378271:_____/24:00585970 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00216275:25310/24:39921865

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2023.111794" target="_blank" >https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2023.111794</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jpcs.2023.111794" target="_blank" >10.1016/j.jpcs.2023.111794</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Doping of n-type Bi2Se3 single crystal with Fe, Ru, Os, and Mo

Popis výsledku v původním jazyce

In this study, we developed a reliable method for preparing high-quality single crystal substrates comprising Bi2Se3 doped with VIIIB and VIB column elements. We combined experimental photoelectron spectroscopy (X-ray photoelectron spectroscopy, angle resolved photoelectron emission spectroscopy, and ultraviolet photoelectron spectroscopy) and theoretical (ab initio) methods to analyze the electronic properties and chemical states of atoms in the substitutional position and native defects in the topological insulator, which can be achieved using the free melt crystallization method for sample growth. The relationship between the position of the Dirac cone and valence band maximum was explored and discussed.

Název v anglickém jazyce

Doping of n-type Bi2Se3 single crystal with Fe, Ru, Os, and Mo

Popis výsledku anglicky

In this study, we developed a reliable method for preparing high-quality single crystal substrates comprising Bi2Se3 doped with VIIIB and VIB column elements. We combined experimental photoelectron spectroscopy (X-ray photoelectron spectroscopy, angle resolved photoelectron emission spectroscopy, and ultraviolet photoelectron spectroscopy) and theoretical (ab initio) methods to analyze the electronic properties and chemical states of atoms in the substitutional position and native defects in the topological insulator, which can be achieved using the free melt crystallization method for sample growth. The relationship between the position of the Dirac cone and valence band maximum was explored and discussed.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2024

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Physics and Chemistry of Solids

ISSN

0022-3697

e-ISSN

1879-2553

Svazek periodika

185

Číslo periodika v rámci svazku

Feb

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

10

Strana od-do

111794

Kód UT WoS článku

001125858200001

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85178051478