Doping of n-type Bi2Se3 single crystal with Fe, Ru, Os, and Mo
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216275%3A25310%2F24%3A39921865" target="_blank" >RIV/00216275:25310/24:39921865 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68378271:_____/24:00585970
Výsledek na webu
<a href="https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002236972300584X" target="_blank" >https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002236972300584X</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jpcs.2023.111794" target="_blank" >10.1016/j.jpcs.2023.111794</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Doping of n-type Bi2Se3 single crystal with Fe, Ru, Os, and Mo
Popis výsledku v původním jazyce
Doping is one of the most suitable methods for tuning the electronic properties of topological insulators and a promising approach for band gap opening in surface states. In this study, we developed a reliable method for preparing high-quality single crystal substrates comprising Bi2Se3 doped with VIIIB and VIB column elements. We combined experimental photoelectron spectroscopy (X-ray photoelectron spectroscopy, angle resolved photoelectron emission spectroscopy, and ultraviolet photoelectron spectroscopy) and theoretical (ab initio) methods to analyze the electronic properties and chemical states of atoms in the substitutional position and native defects in the topological insulator, which can be achieved using the free melt crystallization method for sample growth. The relationship between the position of the Dirac cone and valence band maximum was explored and discussed.
Název v anglickém jazyce
Doping of n-type Bi2Se3 single crystal with Fe, Ru, Os, and Mo
Popis výsledku anglicky
Doping is one of the most suitable methods for tuning the electronic properties of topological insulators and a promising approach for band gap opening in surface states. In this study, we developed a reliable method for preparing high-quality single crystal substrates comprising Bi2Se3 doped with VIIIB and VIB column elements. We combined experimental photoelectron spectroscopy (X-ray photoelectron spectroscopy, angle resolved photoelectron emission spectroscopy, and ultraviolet photoelectron spectroscopy) and theoretical (ab initio) methods to analyze the electronic properties and chemical states of atoms in the substitutional position and native defects in the topological insulator, which can be achieved using the free melt crystallization method for sample growth. The relationship between the position of the Dirac cone and valence band maximum was explored and discussed.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
20501 - Materials engineering
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2024
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Physics and Chemistry of Solids
ISSN
0022-3697
e-ISSN
1879-2553
Svazek periodika
185
Číslo periodika v rámci svazku
February 2024
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
10
Strana od-do
111794
Kód UT WoS článku
001125858200001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85178051478