Impact of vacuum and atmospheric pressure on solid and gas phase sulfurization of MoO3 to MoS2

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F24%3A00587540" target="_blank" >RIV/68378271:_____/24:00587540 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21230/24:00376795

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Impact of vacuum and atmospheric pressure on solid and gas phase sulfurization of MoO3 to MoS2

Popis výsledku v původním jazyce

Among the family of 2D TMDs, single-layer MoS2, has attracted significant attention for potential applications in optoelectronic devices. Here, we conducted a set of experiments to optimize the growth conditions to synthesize a few layers of MoS2 on Si/SiO2 substrate using MoO3 as a solid source by thermal CVD at vacuum or atmospheric pressure. We also investigated the film quality of the grown MoS2 flakes for different substrate orientations (vertical vs. horizontal) and the substrate temperatures (850 °C vs. 950 °C). Moreover, we performed calculations of film thickness from the peak energy difference between the in-plane (E2g) and out-of-plane (A1g) phonon modes reflected in the Raman spectra. We show that employing a MoO3 solid source instead of a Mo ultra-thin layer provides an easy and cost-effective approach, having a broader technological window for the CVD process and to synthesize good enough few-layer MoS2 flakes for opto-electronic applications.

Název v anglickém jazyce

Impact of vacuum and atmospheric pressure on solid and gas phase sulfurization of MoO3 to MoS2

Popis výsledku anglicky

Among the family of 2D TMDs, single-layer MoS2, has attracted significant attention for potential applications in optoelectronic devices. Here, we conducted a set of experiments to optimize the growth conditions to synthesize a few layers of MoS2 on Si/SiO2 substrate using MoO3 as a solid source by thermal CVD at vacuum or atmospheric pressure. We also investigated the film quality of the grown MoS2 flakes for different substrate orientations (vertical vs. horizontal) and the substrate temperatures (850 °C vs. 950 °C). Moreover, we performed calculations of film thickness from the peak energy difference between the in-plane (E2g) and out-of-plane (A1g) phonon modes reflected in the Raman spectra. We show that employing a MoO3 solid source instead of a Mo ultra-thin layer provides an easy and cost-effective approach, having a broader technological window for the CVD process and to synthesize good enough few-layer MoS2 flakes for opto-electronic applications.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

<a href="/cs/project/LM2023051" target="_blank" >LM2023051: Výzkumná infrastruktura CzechNanoLab</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2024

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of ADEPT - ADEPT 2024

ISBN

978-80-554-2109-4

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

85-88

Název nakladatele

University of Žilina

Místo vydání

Žilina

Místo konání akce

Podbanské

Datum konání akce

24. 6. 2024

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—