Technologie přípravy tlustých detekčních vrstev InGaN/GaN
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F24%3A00616695" target="_blank" >RIV/68378271:_____/24:00616695 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
čeština
Název v původním jazyce
Technologie přípravy tlustých detekčních vrstev InGaN/GaN
Popis výsledku v původním jazyce
Ověřená technologie popisuje podrobný návod přípravy scintilačních InGaN /GaN heterostruktur vhodných pro výrobu rychlých scintilačních stínítek pro detekci elektronů. Soubor dokumentů se skládá z reglementu, 25 pracovních instrukcí a protokolu o ověření technologie. Reglement obsahuje specifikaci vstupních materiálů, seznam jednotlivých technologických kroků a jejich stručný popis. Podrobný popis pracovních kroků lze nalézt v jednotlivých pracovních instrukcích. Porovnání změřených a požadovaných vlastností vzorků připravených touto technologií je uveden v protokolu o ověření technologie.
Název v anglickém jazyce
Technology of preparation of thick InGaN/GaN layers
Popis výsledku anglicky
Certified technology describes in detail preparation of InGaN/GaN scintillation heterostructure suitable for production of fast scintillating shield for electron detection. The set of documents consists of the main file, 25 work instructions and a report of technology certification. The main file contains specifications of input materials, a list of technological and characterization steps and their brief description. Detailed description of each step can be found in particular work instruction. Comparison of required and measured properties of samples prepared according to this technology is shown in Report of technology certification.
Klasifikace
Druh
Z<sub>tech</sub> - Ověřená technologie
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/FW03010298" target="_blank" >FW03010298: Průlomové optoelektronické materiály pro přístrojovou techniku</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2024
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Interní identifikační kód produktu
FW03010298-V28
Číselná identifikace
FW03010298-V28
Technické parametry
Struktura obsahuje 100 InGaN/GaN kvantových jam, má celkovou tloušťku aktivní oblasti 2400 nm, fotoluminiscenční i radioluminiscenční dosvit 1,4 ns
Ekonomické parametry
Technologii lze využít pro výrobu rychlých scintilačních stínítek např. do elektronových mikroskopů, ale i pro detektory jiných ionizujících záření (alfa, rtg, gama...) např pro rentgenové zobrazování, CT, TOF CT, TOF SIMS nebo TOF PET aplikace. Na využití této technologie byl již předem podán patent 306026 a je uzavřena smlouva mezi firmou Crytur a FZU o využití výsledku.
Kategorie aplik. výsledku dle nákladů
—
IČO vlastníka výsledku
68378271
Název vlastníka
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Stát vlastníka
CZ - Česká republika
Druh možnosti využití
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Požadavek na licenční poplatek
A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
Adresa www stránky s výsledkem
—