A fast GGAG:Ce(Mg) single crystal scintillator: LDFZM growth, characterization and electronic band structure calculation
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F25%3A00605166" target="_blank" >RIV/68378271:_____/25:00605166 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216208:11320/25:10489628
Výsledek na webu
<a href="https://hdl.handle.net/11104/0370024" target="_blank" >https://hdl.handle.net/11104/0370024</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1039/d4ma00976b" target="_blank" >10.1039/d4ma00976b</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
A fast GGAG:Ce(Mg) single crystal scintillator: LDFZM growth, characterization and electronic band structure calculation
Popis výsledku v původním jazyce
The growth of Gd3Ga2.7Al2.3O12:Ce and Gd3Ga2.7Al2.3O12:Ce,Mg crystals was accomplished by the laserdiode floating zone method (LDFZM) under a pressurized oxygen atmosphere. Optical, luminescence, and scintillation characterization were performed, which points to their comparable scintillation performance and lower Czochralski method.charge trapping in the scintillation mechanism compared to commercial GAGG:Ce crystals grown by the Czochralski method. Theoretical electronic band structure calculations were performed for Gd3Ga2.7Al2.3O12, Gd3Ga5O12 and Gd3Al5O12 compositions and these are discussed in the light of the experimental results obtained.
Název v anglickém jazyce
A fast GGAG:Ce(Mg) single crystal scintillator: LDFZM growth, characterization and electronic band structure calculation
Popis výsledku anglicky
The growth of Gd3Ga2.7Al2.3O12:Ce and Gd3Ga2.7Al2.3O12:Ce,Mg crystals was accomplished by the laserdiode floating zone method (LDFZM) under a pressurized oxygen atmosphere. Optical, luminescence, and scintillation characterization were performed, which points to their comparable scintillation performance and lower Czochralski method.charge trapping in the scintillation mechanism compared to commercial GAGG:Ce crystals grown by the Czochralski method. Theoretical electronic band structure calculations were performed for Gd3Ga2.7Al2.3O12, Gd3Ga5O12 and Gd3Al5O12 compositions and these are discussed in the light of the experimental results obtained.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2025
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Materials Advances
ISSN
2633-5409
e-ISSN
2633-5409
Svazek periodika
6
Číslo periodika v rámci svazku
2
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
11
Strana od-do
777-787
Kód UT WoS článku
001381736900001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85212915279