Dynamics of local photoconductivity in GaAs and InP investigated by a terahertz scanning near-field optical microscope
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F25%3A00637335" target="_blank" >RIV/68378271:_____/25:00637335 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://doi.org/10.1103/x8m8-zgmw" target="_blank" >https://doi.org/10.1103/x8m8-zgmw</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1103/x8m8-zgmw" target="_blank" >10.1103/x8m8-zgmw</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Dynamics of local photoconductivity in GaAs and InP investigated by a terahertz scanning near-field optical microscope
Popis výsledku v původním jazyce
Terahertz scanning near-field optical microscope (THz-SNOM) is employed to measure ultrafast evolution of terahertz conductivity spectra after photoexcitation of GaAs and InP wafers using ultrashort laser pulses. Unlike in GaAs, the terahertz photoconductivity decay in InP is controlled mainly by the diffusion of electrons away from the photoexcited area, and by the drift due to band bending at the surface of the semiconductor.We propose and discuss several general strategies of the analysis of signals measured using THz-SNOM, and we estimate the accuracy of the obtained near-field photoconductivity spectra.
Název v anglickém jazyce
Dynamics of local photoconductivity in GaAs and InP investigated by a terahertz scanning near-field optical microscope
Popis výsledku anglicky
Terahertz scanning near-field optical microscope (THz-SNOM) is employed to measure ultrafast evolution of terahertz conductivity spectra after photoexcitation of GaAs and InP wafers using ultrashort laser pulses. Unlike in GaAs, the terahertz photoconductivity decay in InP is controlled mainly by the diffusion of electrons away from the photoexcited area, and by the drift due to band bending at the surface of the semiconductor.We propose and discuss several general strategies of the analysis of signals measured using THz-SNOM, and we estimate the accuracy of the obtained near-field photoconductivity spectra.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2025
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physical Review B
ISSN
2469-9950
e-ISSN
2469-9969
Svazek periodika
112
Číslo periodika v rámci svazku
July
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
13
Strana od-do
045407
Kód UT WoS článku
001529654300002
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-105022022629