Plasma-Deposited Si-O-C Films

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21220%2F06%3A00125961" target="_blank" >RIV/68407700:21220/06:00125961 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Plasma-Deposited Si-O-C Films

Popis výsledku v původním jazyce

SiO2 and Si-O-C films were deposited by plasma-assisted chemical vapor deposition (PACVD) to examine the effects of various technology paramenters on film growth and to establish the composition and the wetting properties of the films, i.a. with a view to using them as an intermediate layer under DLC films deposited on bioimplants, and also to enhancing the water repellence & self-cleaning capacity of stainless steel. The films deposited by PACVD from hexamethyl disilaxane precursor contained up to 51 at.% C and rendered the surfaces of Si, Al, and stainless steel substrates more hydrophobic.

Název v anglickém jazyce

Plasma-Deposited Si-O-C Films

Popis výsledku anglicky

SiO2 and Si-O-C films were deposited by plasma-assisted chemical vapor deposition (PACVD) to examine the effects of various technology paramenters on film growth and to establish the composition and the wetting properties of the films, i.a. with a view to using them as an intermediate layer under DLC films deposited on bioimplants, and also to enhancing the water repellence & self-cleaning capacity of stainless steel. The films deposited by PACVD from hexamethyl disilaxane precursor contained up to 51 at.% C and rendered the surfaces of Si, Al, and stainless steel substrates more hydrophobic.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JK - Koroze a povrchové úpravy materiálu

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/LC06041" target="_blank" >LC06041: Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the 16th Joint Seminar

ISBN

80-901748-7-6

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

—

Název nakladatele

Czechoslovak Association for Crystal Growth

Místo vydání

Prague

Místo konání akce

Valtice

Datum konání akce

12. 9. 2006

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—