Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Preparation of tantalum pentoxide by anodic oxidation and its application for humidity sensors

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21220%2F11%3A00204661" target="_blank" >RIV/68407700:21220/11:00204661 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Preparation of tantalum pentoxide by anodic oxidation and its application for humidity sensors

  • Popis výsledku v původním jazyce

    A capacitive humidity sensor includes a capacitor with two metallic electrodes. A moisture sensitive layer of tantalum pentoxide inserted between the electrodes serves as a dielectric. The dielectric is critical for humidity measurement in humidity sensors. In common humidity sensors of this kind, polymer film is used as the dielectric layer. Some of humidity sensors are using oxides layer on a metal like aluminum, tantalum etc, or a combination of these layers, as a dielectric in a capacitor. The electrode based on Ta/Ta2O5 layers could be used as a gate in MOSFET under the interdigital structure.

  • Název v anglickém jazyce

    Preparation of tantalum pentoxide by anodic oxidation and its application for humidity sensors

  • Popis výsledku anglicky

    A capacitive humidity sensor includes a capacitor with two metallic electrodes. A moisture sensitive layer of tantalum pentoxide inserted between the electrodes serves as a dielectric. The dielectric is critical for humidity measurement in humidity sensors. In common humidity sensors of this kind, polymer film is used as the dielectric layer. Some of humidity sensors are using oxides layer on a metal like aluminum, tantalum etc, or a combination of these layers, as a dielectric in a capacitor. The electrode based on Ta/Ta2O5 layers could be used as a gate in MOSFET under the interdigital structure.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2011

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    NANOCON 2011 - Conference Proceedings

  • ISBN

    978-80-87294-27-7

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    555-558

  • Název nakladatele

    TANGEr, spol. s r.o.

  • Místo vydání

    Ostrava

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    21. 9. 2011

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku

    000306686700090