The growth and dielectric properties of porous-anodic-alumina-supported nanostructured Ta2O5/Ta films

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F12%3APU101695" target="_blank" >RIV/00216305:26220/12:PU101695 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The growth and dielectric properties of porous-anodic-alumina-supported nanostructured Ta2O5/Ta films
Popis výsledku v původním jazyce
Amorphous tantalum pentoxide, grown on sintered tantalum powders or microstructured conducting substrates, has been of interest as a metal/oxide electrode with significantly increased overall surface area. Aiming at potential application to capacitors, we propose an advanced approach to fabricate Ta2O5/Ta films with highly porous nanostructured morphology and large surface-to-volume ratio via electrochemical anodizing of tantalum layers sputter-deposited over the nanoporous alumina substrates
Název v anglickém jazyce
The growth and dielectric properties of porous-anodic-alumina-supported nanostructured Ta2O5/Ta films
Popis výsledku anglicky
Amorphous tantalum pentoxide, grown on sintered tantalum powders or microstructured conducting substrates, has been of interest as a metal/oxide electrode with significantly increased overall surface area. Aiming at potential application to capacitors, we propose an advanced approach to fabricate Ta2O5/Ta films with highly porous nanostructured morphology and large surface-to-volume ratio via electrochemical anodizing of tantalum layers sputter-deposited over the nanoporous alumina substrates

Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)