Radiation hardness of semiconductor single photon detection structure
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21220%2F19%3A00334289" target="_blank" >RIV/68407700:21220/19:00334289 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68407700:21340/19:00334289
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2521042" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1117/12.2521042</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2521042" target="_blank" >10.1117/12.2521042</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Radiation hardness of semiconductor single photon detection structure
Popis výsledku v původním jazyce
The detection structure, it has been used in this experiment is employed for producing a single photon detector. The experiment was based on the analysis of changes in this low noise structure of a single photon detector in connection with its radiation damage in the event of neutron flux exposure. For the analysis of the radiation damaged structure was used the Zero Bias Thermally stimulated current method to explore the possibilities of filling traps with light sources. The filling of traps with photons emitted from LEDs or a flash device is compared on a neutron irradiated Si detector. The results of this experiment are used to increase the radiation hardness of manufactured single photon detection structures.
Název v anglickém jazyce
Radiation hardness of semiconductor single photon detection structure
Popis výsledku anglicky
The detection structure, it has been used in this experiment is employed for producing a single photon detector. The experiment was based on the analysis of changes in this low noise structure of a single photon detector in connection with its radiation damage in the event of neutron flux exposure. For the analysis of the radiation damaged structure was used the Zero Bias Thermally stimulated current method to explore the possibilities of filling traps with light sources. The filling of traps with photons emitted from LEDs or a flash device is compared on a neutron irradiated Si detector. The results of this experiment are used to increase the radiation hardness of manufactured single photon detection structures.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
10303 - Particles and field physics
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2019
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proc. SPIE 11027, Quantum Optics and Photon Counting 2019
ISBN
978-1-5106-2720-8
ISSN
0277-786X
e-ISSN
1996-756X
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
—
Název nakladatele
SPIE
Místo vydání
Bellingham (stát Washington)
Místo konání akce
Praha
Datum konání akce
1. 4. 2019
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000502083100010