Smoothing Gate Capacitance Models for CMOS Radio Frequency and Microwave Integrated Circuits CAD

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F02%3A03089420" target="_blank" >RIV/68407700:21230/02:03089420 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Smoothing Gate Capacitance Models for CMOS Radio Frequency and Microwave Integrated Circuits CAD
Popis výsledku v původním jazyce
Convergence problems for both voltage- and charge- controlled models of MOSFET gate capacitances are often a limiting factor of CAD tools. In paper, an idea of exponential smoothing of model discontinuities is proposed. The method is demonstrated by smoothing the discontinuity of Meyer's model at zero drain-source voltage. The updated model is tested on flip-flop circuit by an advanced algorithm.
Název v anglickém jazyce
Smoothing Gate Capacitance Models for CMOS Radio Frequency and Microwave Integrated Circuits CAD
Popis výsledku anglicky
Convergence problems for both voltage- and charge- controlled models of MOSFET gate capacitances are often a limiting factor of CAD tools. In paper, an idea of exponential smoothing of model discontinuities is proposed. The method is demonstrated by smoothing the discontinuity of Meyer's model at zero drain-source voltage. The updated model is tested on flip-flop circuit by an advanced algorithm.

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F01%2F0432" target="_blank" >GA102/01/0432: Symbolické, semisymbolické a numerické metody analýzy, návrhu a optimalizace elektrických obvodů</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2002
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)