Strong and Weak Inversion Mode of MOS in the Design of Direction Sensitivity Matrix
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F06%3A00124474" target="_blank" >RIV/68407700:21230/06:00124474 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Strong and Weak Inversion Mode of MOS in the Design of Direction Sensitivity Matrix
Popis výsledku v původním jazyce
In the article there is presented a new arrangement of a temperature sensor system for air velocity and direction measurement. The system utilizes temperature dependence of the current through the channel of MOS structure. The geometric arrangement of temperature sensors allows measurement of temperature gradient. Temperature gradient allows to compute direction of air flow over the chip. Optimal operating modes of weak and strong inversion of MOS structure operation have been selected for the design ofintegrated temperature matrix. The matrix has been used for the design of a probe for measurement. Various arrangements of MOS sensor structures have been designed. CoventorWare and CADENCE software tools have been used for simulation and modeling of sensor properties.
Název v anglickém jazyce
Strong and Weak Inversion Mode of MOS in the Design of Direction Sensitivity Matrix
Popis výsledku anglicky
In the article there is presented a new arrangement of a temperature sensor system for air velocity and direction measurement. The system utilizes temperature dependence of the current through the channel of MOS structure. The geometric arrangement of temperature sensors allows measurement of temperature gradient. Temperature gradient allows to compute direction of air flow over the chip. Optimal operating modes of weak and strong inversion of MOS structure operation have been selected for the design ofintegrated temperature matrix. The matrix has been used for the design of a probe for measurement. Various arrangements of MOS sensor structures have been designed. CoventorWare and CADENCE software tools have been used for simulation and modeling of sensor properties.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F06%2F1624" target="_blank" >GA102/06/1624: Mikro a nano senzorové struktury a systémy se zabudovanou inteligencí (MINASES)</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
NSTI Nanotech 2006 - Technical Proceedings Vol. 1-3. (CDROM)
ISBN
0-9767985-9-X
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Název nakladatele
Nano Science and Technology Institute
Místo vydání
Boston
Místo konání akce
Boston
Datum konání akce
7. 5. 2006
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—