Modeling of Evaporation of Thin Films Using DOE

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F06%3A00167865" target="_blank" >RIV/68407700:21230/06:00167865 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Modeling of Evaporation of Thin Films Using DOE

Popis výsledku v původním jazyce

Technology of factorial experiments is used for simulation of evaporation of thin Ni films. Evaporated structures were examined from the point of view of the resistance and their thickness.

Název v anglickém jazyce

Modeling of Evaporation of Thin Films Using DOE

Popis výsledku anglicky

Technology of factorial experiments is used for simulation of evaporation of thin Ni films. Evaporated structures were examined from the point of view of the resistance and their thickness.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

29th International Spring Seminar on Electronics Technology

ISBN

978-1-4244-0550-3

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

—

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

New York

Místo konání akce

St. Marienthal

Datum konání akce

10. 5. 2006

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000246825800045