NEGF simulace bistabilit RTD

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F07%3A03130066" target="_blank" >RIV/68407700:21230/07:03130066 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/67985882:_____/07:00086590
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
NEGF simulation of the RTD bistability
Popis výsledku v původním jazyce
The simulation of I-V characteristics of Al0.3Ga0.7As-GaAs and AlAs-GaAs resonant tunneling diodes (RTD) is presented. The nonequilibrium Green function (NEGF) based 1D quantum transport simulator Wingreen is used in our case. The plateau region on the IV characteristics usually present only by the Wigner function equation (WFE) based simulation appeared now by the NEGF simulation of our AlAs-GaAs RTD and its shape is comparable with our experimental measurements.
Název v anglickém jazyce
NEGF simulation of the RTD bistability
Popis výsledku anglicky
The simulation of I-V characteristics of Al0.3Ga0.7As-GaAs and AlAs-GaAs resonant tunneling diodes (RTD) is presented. The nonequilibrium Green function (NEGF) based 1D quantum transport simulator Wingreen is used in our case. The plateau region on the IV characteristics usually present only by the Wigner function equation (WFE) based simulation appeared now by the NEGF simulation of our AlAs-GaAs RTD and its shape is comparable with our experimental measurements.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F06%2F0381" target="_blank" >GA102/06/0381: Spintronické aplikace feromagnetických polovodičových nanostruktur</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2007
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)