Analysis of the resonant tunneling diode with the stepped prebarrier
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F09%3A00159114" target="_blank" >RIV/68407700:21230/09:00159114 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/67985882:_____/09:00346107
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Analysis of the resonant tunneling diode with the stepped prebarrier
Popis výsledku v původním jazyce
Resonant-tunnelling diodes (RTD) incorporating an emitter stepped pre-barrier are studied both theoretically and experimentally. The simulation of I-V characteristics of modified AlAs-GaAs double barrier RTD grown by molecular beam epitaxy with the stepped pre-barrier is presented. An 1D quantum transport simulator Wingreen based on the nonequilibrium Green functions (NEGF) is used in our case. Our result show that the coupling between energy levels in the emitter quantum-well and the main quantum wellleads to the plateau behaviour of the I-V curves. The two plateau regions on the I-V characteristics have been observed in experimental and simulation results.
Název v anglickém jazyce
Analysis of the resonant tunneling diode with the stepped prebarrier
Popis výsledku anglicky
Resonant-tunnelling diodes (RTD) incorporating an emitter stepped pre-barrier are studied both theoretically and experimentally. The simulation of I-V characteristics of modified AlAs-GaAs double barrier RTD grown by molecular beam epitaxy with the stepped pre-barrier is presented. An 1D quantum transport simulator Wingreen based on the nonequilibrium Green functions (NEGF) is used in our case. Our result show that the coupling between energy levels in the emitter quantum-well and the main quantum wellleads to the plateau behaviour of the I-V curves. The two plateau regions on the I-V characteristics have been observed in experimental and simulation results.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Physics: Conference Series
ISSN
1742-6588
e-ISSN
—
Svazek periodika
193
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—