Simulace elektronového transportu s použitím metody Transfer Matrix

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F05%3A03114950" target="_blank" >RIV/68407700:21230/05:03114950 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Electron Transport Simulation Using Transfer Matrix Method

Popis výsledku v původním jazyce

The paper describes the properties of one dimensional simulator for modeling quantum electronic system with an arbitrary layered semiconductor structure. Actually, the simulator is being used for predicting the significant parameters of newly designed resonant tunneling diodes with structure containing band steps outside the barriers to decrease the interference between the emitter charge of free electrons and charge in the well leading to undesirable current plateau on the I-V diode characteristics.

Název v anglickém jazyce

Electron Transport Simulation Using Transfer Matrix Method

Popis výsledku anglicky

The paper describes the properties of one dimensional simulator for modeling quantum electronic system with an arbitrary layered semiconductor structure. Actually, the simulator is being used for predicting the significant parameters of newly designed resonant tunneling diodes with structure containing band steps outside the barriers to decrease the interference between the emitter charge of free electrons and charge in the well leading to undesirable current plateau on the I-V diode characteristics.

Druh

A - Audiovizuální tvorba

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

ISBN

—

Místo vydání

Praha

Název nakladatele resp. objednatele

—

Verze

—

Identifikační číslo nosiče

neuvedeno