Simulace elektronového transportu s použitím metody Transfer Matrix
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F05%3A03114958" target="_blank" >RIV/68407700:21230/05:03114958 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Quantum Devices Transport Simulation Using Transfer Matrix Method
Popis výsledku v původním jazyce
The paper describes the properties of one dimensional simulator for modeling quantum electronic system with an arbitrary layered semiconductor structure. Actually, the simulator is being used for predicting the significant parameters of newly designed resonant tunneling diodes with structure containing band steps outside the barriers to decrease the interference between the emitter charge of free electrons and charge in the well leading to undesirable current plateau on the I-V diode characteristics.
Název v anglickém jazyce
Quantum Devices Transport Simulation Using Transfer Matrix Method
Popis výsledku anglicky
The paper describes the properties of one dimensional simulator for modeling quantum electronic system with an arbitrary layered semiconductor structure. Actually, the simulator is being used for predicting the significant parameters of newly designed resonant tunneling diodes with structure containing band steps outside the barriers to decrease the interference between the emitter charge of free electrons and charge in the well leading to undesirable current plateau on the I-V diode characteristics.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GD102%2F03%2FH105" target="_blank" >GD102/03/H105: Moderní metody řešení, návrhu a aplikace elektronických obvodů</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2005
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Modern Methods of Solutions, Designs and Applications of Electronic Devices
ISBN
80-214-3089-3
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
91-96
Název nakladatele
Vysoké učení technické v Brně
Místo vydání
Brno
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
24. 10. 2005
Typ akce podle státní příslušnosti
CST - Celostátní akce
Kód UT WoS článku
—