Studium vlastností vrstev GaN s dotací Er3+ a Er3+ + Yb3+ iontů pomocí měření transmisních spekter

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F08%3A03148580" target="_blank" >RIV/68407700:21230/08:03148580 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Investigation Properties of GaN Layers Doped with Er3+ and Er3++Yb3+ Ions Using the Transmittance Measurement

Popis výsledku v původním jazyce

The paper report about fabrication and properties of Gallium Nitride (GaN) layers doped with erbium or mixture of erbium and ytterbium ions. Transmission spectra in the spectral range from 280 to 800 nm taken by the spectrometer Varian Cary 50 showed that the increasing concentration of the dopants shifts the absorption edge to the lower wavelengths. Optical band gap Eg was determined from the absorption coefficient values using Tauc's procedure and the obtained values varied from 3.08 eV to 3.89 eV depending on the erbium or erbium plus ytterbium doping. Photoluminescence emission at 1530 nm due to the Er3+ intra-4f 4I13/2 -> 4I15/2 transition was observed by using excitation of semiconductor lasers operating at 980 nm.

Název v anglickém jazyce

Investigation Properties of GaN Layers Doped with Er3+ and Er3++Yb3+ Ions Using the Transmittance Measurement

Popis výsledku anglicky

The paper report about fabrication and properties of Gallium Nitride (GaN) layers doped with erbium or mixture of erbium and ytterbium ions. Transmission spectra in the spectral range from 280 to 800 nm taken by the spectrometer Varian Cary 50 showed that the increasing concentration of the dopants shifts the absorption edge to the lower wavelengths. Optical band gap Eg was determined from the absorption coefficient values using Tauc's procedure and the obtained values varied from 3.08 eV to 3.89 eV depending on the erbium or erbium plus ytterbium doping. Photoluminescence emission at 1530 nm due to the Er3+ intra-4f 4I13/2 -> 4I15/2 transition was observed by using excitation of semiconductor lasers operating at 980 nm.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA102%2F06%2F0424" target="_blank" >GA102/06/0424: Nové součástky integrované optiky zhotovené planární hybridní technologií</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of SPIE Photonics, Devices, and Systems IV - Volume 7138

ISBN

—

ISSN

0277-786X

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Název nakladatele

SPIE

Místo vydání

Bellingham

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

27. 8. 2008

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—