The Radiation Enhanced Diffusion (RED) Diode Realization of a Large Area p+p-n-n+ Structure with High SOA

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F09%3A00156565" target="_blank" >RIV/68407700:21230/09:00156565 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The Radiation Enhanced Diffusion (RED) Diode Realization of a Large Area p+p-n-n+ Structure with High SOA
Popis výsledku v původním jazyce
We introduce a fully functional high voltage and high current p+p-n-n+ diode based on Radiation Enhanced Diffusion (RED) technology. The diode was processed on a 100 mm wafer and can safely turn off 4 and 7 kA @ 140oC @ 1500 A/us for the diameters of 51and 91 mm, resp. The RED diode has low leakage, excellent SOA capability under free-wheeling conditions, very good softness, and very high SOA with di/dt towards 10kA/us. Clamp-less operation is presented up to 1300 A with peak power above 15 MW at 125 oC for the 91 mm diodes.
Název v anglickém jazyce
The Radiation Enhanced Diffusion (RED) Diode Realization of a Large Area p+p-n-n+ Structure with High SOA
Popis výsledku anglicky
We introduce a fully functional high voltage and high current p+p-n-n+ diode based on Radiation Enhanced Diffusion (RED) technology. The diode was processed on a 100 mm wafer and can safely turn off 4 and 7 kA @ 140oC @ 1500 A/us for the diameters of 51and 91 mm, resp. The RED diode has low leakage, excellent SOA capability under free-wheeling conditions, very good softness, and very high SOA with di/dt towards 10kA/us. Clamp-less operation is presented up to 1300 A with peak power above 15 MW at 125 oC for the 91 mm diodes.

Projekt
<a href="/cs/project/LC06041" target="_blank" >LC06041: Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Proceedings of 21st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
ISBN
—
ISSN
1943-653X
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Piscataway
Místo konání akce
Barcelona
Datum konání akce
14. 6. 2009
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)