High-Power Silicon p-i-n Diode With the Radiation Enhanced Diffusion of Gold

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F14%3A00213905" target="_blank" >RIV/68407700:21230/14:00213905 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://ieeexplore.ieee.org" target="_blank" >http://ieeexplore.ieee.org</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1109/LED.2014.2298754" target="_blank" >10.1109/LED.2014.2298754</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

High-Power Silicon p-i-n Diode With the Radiation Enhanced Diffusion of Gold

Popis výsledku v původním jazyce

Fast recovery p-i-n diode with anode p-n junction modified by the radiation-enhanced diffusion (RED) of gold is presented. The RED of gold is shown to provide the local lifetime control of excess carriers, the compensation of n-base doping profile from n-type to p-type, and the enhancement of concentration of two gold-related deep levels. The deep level Au-/0 (EC - 0.549 eV) controls the low-level lifetime, whereas the gold?hydrogen pair (EC - 0.215 eV) the high-level lifetime. This feature eliminates the drawback of negative temperature coefficient of forward voltage drop of the RED with palladium and platinum, where only a single deep level, which controls the high-level lifetime, is enhanced. The RED of gold provides the maximal reverse bias safe operation area at the annealing temperature of 600 °C, whereas the RED of palladium at 650 °C.

Název v anglickém jazyce

High-Power Silicon p-i-n Diode With the Radiation Enhanced Diffusion of Gold

Popis výsledku anglicky

Fast recovery p-i-n diode with anode p-n junction modified by the radiation-enhanced diffusion (RED) of gold is presented. The RED of gold is shown to provide the local lifetime control of excess carriers, the compensation of n-base doping profile from n-type to p-type, and the enhancement of concentration of two gold-related deep levels. The deep level Au-/0 (EC - 0.549 eV) controls the low-level lifetime, whereas the gold?hydrogen pair (EC - 0.215 eV) the high-level lifetime. This feature eliminates the drawback of negative temperature coefficient of forward voltage drop of the RED with palladium and platinum, where only a single deep level, which controls the high-level lifetime, is enhanced. The RED of gold provides the maximal reverse bias safe operation area at the annealing temperature of 600 °C, whereas the RED of palladium at 650 °C.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

IEEE Electron Device Letters

ISSN

0741-3106

e-ISSN

—

Svazek periodika

35

Číslo periodika v rámci svazku

3

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

375-377

Kód UT WoS článku

000332029200028

EID výsledku v databázi Scopus

—