Radiation Enhanced Diffusion of Nickel in Silicon Diodes
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F12%3A00194609" target="_blank" >RIV/68407700:21230/12:00194609 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Radiation Enhanced Diffusion of Nickel in Silicon Diodes
Popis výsledku v původním jazyce
High-power P-I-N diodes (2.5 kV, 150 A) with sputtered NiV and NiCr layers at anode were implanted by 10 MeV helium ions and subsequently annealed in the range 550 - 800 oC. The devices were characterized using XPS, DLTS and OCVD. Leakage current, forward voltage drop and reverse recovery measurements were measured as well. The Radiation Enhanced Diffusion (RED) of nickel was registered after 20 min. annealing between 675 and 725 oC. The evidence was provided by depth profiling (DLTS). The effect of theRED of nickel on device electrical parameters was evaluated. Contrary to the palladium, the RED of nickel is not sufficient for the local control of carrier lifetime in power devices.
Název v anglickém jazyce
Radiation Enhanced Diffusion of Nickel in Silicon Diodes
Popis výsledku anglicky
High-power P-I-N diodes (2.5 kV, 150 A) with sputtered NiV and NiCr layers at anode were implanted by 10 MeV helium ions and subsequently annealed in the range 550 - 800 oC. The devices were characterized using XPS, DLTS and OCVD. Leakage current, forward voltage drop and reverse recovery measurements were measured as well. The Radiation Enhanced Diffusion (RED) of nickel was registered after 20 min. annealing between 675 and 725 oC. The evidence was provided by depth profiling (DLTS). The effect of theRED of nickel on device electrical parameters was evaluated. Contrary to the palladium, the RED of nickel is not sufficient for the local control of carrier lifetime in power devices.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
ISPS'12 PROCEEDINGS
ISBN
978-80-01-05100-9
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
1-4
Název nakladatele
České vysoké učení technické v Praze
Místo vydání
Praha
Místo konání akce
Praha
Datum konání akce
28. 8. 2012
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—