Evaluation of Low-Temperature Molybdenum Diffusion for Lifetime Control

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F10%3A00169675" target="_blank" >RIV/68407700:21230/10:00169675 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Evaluation of Low-Temperature Molybdenum Diffusion for Lifetime Control
Popis výsledku v původním jazyce
High-power P-I-N diodes (2.5 kV, 150 A) with sputtered Mo layer at anode were annealed in the range 550 - 800 oC with and without the previous 10 MeV helium implantation. The devices were characterized using DLTS, spreading resistance, OCVD lifetime, leakage current, forward voltage drop and reverse recovery measurements.
Název v anglickém jazyce
Evaluation of Low-Temperature Molybdenum Diffusion for Lifetime Control
Popis výsledku anglicky
High-power P-I-N diodes (2.5 kV, 150 A) with sputtered Mo layer at anode were annealed in the range 550 - 800 oC with and without the previous 10 MeV helium implantation. The devices were characterized using DLTS, spreading resistance, OCVD lifetime, leakage current, forward voltage drop and reverse recovery measurements.

Projekt
<a href="/cs/project/LC06041" target="_blank" >LC06041: Příprava, modifikace a charakterizace materiálů energetickým zářením</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)