Molybdenum and low-temperature annealing of a silicon power P-i-N diode

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F11%3A00177777" target="_blank" >RIV/68407700:21230/11:00177777 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://www.elsevier.com/" target="_blank" >http://www.elsevier.com/</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2010.09.021" target="_blank" >10.1016/j.microrel.2010.09.021</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Molybdenum and low-temperature annealing of a silicon power P-i-N diode

Popis výsledku v původním jazyce

High-power P+P-N-N+ diodes (VRRM = 2.5 kV, IFAV = 150 A) with sputtered Mo layer at anode were annealed in the range 550-800 C with and without the presence of radiation defects from helium implantation (10 MeV, 1 1012 cm2). The devices were characterized using DLTS, spreading resistance, OCVD lifetime, leakage current, forward voltage drop and reverse recovery measurements. The diffusion of Mo from the 50 nm thick surface layer was not registered even after 4 h between 550 and 800 C in a rough vacuum.

Název v anglickém jazyce

Molybdenum and low-temperature annealing of a silicon power P-i-N diode

Popis výsledku anglicky

High-power P+P-N-N+ diodes (VRRM = 2.5 kV, IFAV = 150 A) with sputtered Mo layer at anode were annealed in the range 550-800 C with and without the presence of radiation defects from helium implantation (10 MeV, 1 1012 cm2). The devices were characterized using DLTS, spreading resistance, OCVD lifetime, leakage current, forward voltage drop and reverse recovery measurements. The diffusion of Mo from the 50 nm thick surface layer was not registered even after 4 h between 550 and 800 C in a rough vacuum.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Microelectronics Reliability

ISSN

0026-2714

e-ISSN

—

Svazek periodika

51

Číslo periodika v rámci svazku

3

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

566-571

Kód UT WoS článku

000288578200009

EID výsledku v databázi Scopus

—