Bismuth(III) Doped Polymer Layers for Telecommunication Applications
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F09%3A00157318" target="_blank" >RIV/68407700:21230/09:00157318 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/60461373:22310/09:00021703
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Bismuth(III) Doped Polymer Layers for Telecommunication Applications
Popis výsledku v původním jazyce
Bismuth(III)-doped Epoxy Novolak Resin polymer as a novel promising photonics material was designed for applications in 1310 nm telecommunication window. It was fabricated by spin coating on silicon or silica substrates and its optical properties are evaluated in the terms on the Bi(III) concentration.
Název v anglickém jazyce
Bismuth(III) Doped Polymer Layers for Telecommunication Applications
Popis výsledku anglicky
Bismuth(III)-doped Epoxy Novolak Resin polymer as a novel promising photonics material was designed for applications in 1310 nm telecommunication window. It was fabricated by spin coating on silicon or silica substrates and its optical properties are evaluated in the terms on the Bi(III) concentration.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
The 8th Pacific Rim Conference on Lasers and Electro-Optics
ISBN
978-1-4244-3830-3
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
2
Strana od-do
—
Název nakladatele
CLEO
Místo vydání
Washington
Místo konání akce
Shanghai
Datum konání akce
30. 8. 2009
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—