Low-Temperature Formation of Deep Donor Layers by Proton Implantation: Effect of Hydrogen Plasma on Radiation Defect Removal

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F10%3A00169970" target="_blank" >RIV/68407700:21230/10:00169970 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Low-Temperature Formation of Deep Donor Layers by Proton Implantation: Effect of Hydrogen Plasma on Radiation Defect Removal
Popis výsledku v původním jazyce
Hydrogen plasma efficiently removes majority of vacancy-related defects generated by proton implantation in both FZ and CZ substrates. Plasma and post-implantation annealing lead to appearing of new defects in Si band gap. These defects deteriorate electrical properties of thermal hydrogen-related shallow donors.
Název v anglickém jazyce
Low-Temperature Formation of Deep Donor Layers by Proton Implantation: Effect of Hydrogen Plasma on Radiation Defect Removal
Popis výsledku anglicky
Hydrogen plasma efficiently removes majority of vacancy-related defects generated by proton implantation in both FZ and CZ substrates. Plasma and post-implantation annealing lead to appearing of new defects in Si band gap. These defects deteriorate electrical properties of thermal hydrogen-related shallow donors.

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)