Optimization of Position of Piezoresistive Elements on Substrate Using FEM Simulations

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F10%3A00171676" target="_blank" >RIV/68407700:21230/10:00171676 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Optimization of Position of Piezoresistive Elements on Substrate Using FEM Simulations
Popis výsledku v původním jazyce
Models and simulation results presented in the following sections were created in MEMS simulator CoventorWare. The simulator enables drawing of layout of designed structures, creation of 3d models and mesh generation for FEM and analyzing in different domains, such as mechanical, piezoresistive, electrostatic, piezoelectric, thermal etc. The mechanical solver, in CoventorWare called MemMech, computes the displacement and stresses in the structure. The user applies the boundary conditions, e.g. one of the beam end is fixed, while the opposite is loaded by uniaxial force and others.
Název v anglickém jazyce
Optimization of Position of Piezoresistive Elements on Substrate Using FEM Simulations
Popis výsledku anglicky
Models and simulation results presented in the following sections were created in MEMS simulator CoventorWare. The simulator enables drawing of layout of designed structures, creation of 3d models and mesh generation for FEM and analyzing in different domains, such as mechanical, piezoresistive, electrostatic, piezoelectric, thermal etc. The mechanical solver, in CoventorWare called MemMech, computes the displacement and stresses in the structure. The user applies the boundary conditions, e.g. one of the beam end is fixed, while the opposite is loaded by uniaxial force and others.

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F09%2F1601" target="_blank" >GA102/09/1601: Inteligentní mikro a nano struktury pro mikrosenzory realizované s využitím nanotechnologií</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Conference Proceedings of the Eighth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
ISBN
978-1-4244-8572-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Název nakladatele
IEEE
Místo vydání
Bratislava
Místo konání akce
Smolenice
Datum konání akce
24. 10. 2010
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)