Power Semiconductors - State of Art and Future Trends
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F11%3A00183830" target="_blank" >RIV/68407700:21230/11:00183830 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.3592437" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.3592437</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.3592437" target="_blank" >10.1063/1.3592437</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Power Semiconductors - State of Art and Future Trends
Popis výsledku v původním jazyce
Advances in power semiconductor technology have improved the efficiency, size, weight and cost of power electronic systems. At present, IGCTs, IGBTs, and MOSFETs represent modern switching devices. Power integrated circuits (PIC) have been developed forthe use of power converters for portable, automotive and aerospace applications. For advanced applications, new materials (SiC and GaN) have been introduced. This paper reviews the state of these devices and elaborates on their potentials in terms of higher voltages, higher power density, and better switching performance.
Název v anglickém jazyce
Power Semiconductors - State of Art and Future Trends
Popis výsledku anglicky
Advances in power semiconductor technology have improved the efficiency, size, weight and cost of power electronic systems. At present, IGCTs, IGBTs, and MOSFETs represent modern switching devices. Power integrated circuits (PIC) have been developed forthe use of power converters for portable, automotive and aerospace applications. For advanced applications, new materials (SiC and GaN) have been introduced. This paper reviews the state of these devices and elaborates on their potentials in terms of higher voltages, higher power density, and better switching performance.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of the fourth global conference on power control and optimization
ISBN
978-0-7354-0893-7
ISSN
0094-243X
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
9
Strana od-do
16-24
Název nakladatele
American Institute of Physics
Místo vydání
New York
Místo konání akce
Kuching,
Datum konání akce
2. 12. 2010
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000291830300002