Investigation of Reverse Bias Safe Operation Area of High-Power Fast Recovery Diodes
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F11%3A00194608" target="_blank" >RIV/68407700:21230/11:00194608 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Investigation of Reverse Bias Safe Operation Area of High-Power Fast Recovery Diodes
Popis výsledku v původním jazyce
The destruction limits of fast recovery power diodes under low and high currents are decisive for their reliable application. The former is limited by snap-off of current at the tail time of reverse recovery, the latter by dynamic avalanche. In this respect, we have investigated the diode which has been designed using the optimized anode and cathode doping profiles for reliable operation having nominal breakdown voltage of 4.5 kV. In this paper, we experimentally demonstrate the destruction limits for snap-off under hard turn-off conditions.
Název v anglickém jazyce
Investigation of Reverse Bias Safe Operation Area of High-Power Fast Recovery Diodes
Popis výsledku anglicky
The destruction limits of fast recovery power diodes under low and high currents are decisive for their reliable application. The former is limited by snap-off of current at the tail time of reverse recovery, the latter by dynamic avalanche. In this respect, we have investigated the diode which has been designed using the optimized anode and cathode doping profiles for reliable operation having nominal breakdown voltage of 4.5 kV. In this paper, we experimentally demonstrate the destruction limits for snap-off under hard turn-off conditions.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
POSTER 2011 - 15th International Student Conference on Electrical Engineering
ISBN
978-80-01-04806-1
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
2
Strana od-do
1-2
Název nakladatele
ČVUT, Fakulta elektrotechnická
Místo vydání
Praha
Místo konání akce
Praha
Datum konání akce
12. 5. 2011
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—