Water Vapor Passivation of Poly-Si Thin Film Solar Cells

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F12%3A00193834" target="_blank" >RIV/68407700:21230/12:00193834 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

slovinština

Název v původním jazyce

Pasivácia tenkovrstvých poly-Si solárnych článkov vodnou parou

Popis výsledku v původním jazyce

Poly-Si vzorky vyrobené firmou CSG Solar boli pasivované vodnou parou - bude prezentovaná štruktúra týchto vzoriek so zaujímavým riešením metalizácie n+ a p+ vrstvu na rovnakej strane pn prechodu. Povrch vzoriek sa zdal byť po pasivácii zleptaný, ale žiadne výrazné zlepšenie napätia naprázdno Voc solárnych článkov nebolo pozorované. Doteraz bola pripravená poly-Si vrstva kryštalizáciou amorfného Si na kremennom skle a ďalej pracujeme na príprave kompletnej štruktúry pn prechodu poly-Si tenkovrstvých solárnych článkov. Volt-ampérové charakteristiky solárnych článkov boli zmerané pred a po pasivácii pomocou Suns-Voc metódy upravenej pre meranie tenkovrstvých solárnych článkov bez metalizácie.

Název v anglickém jazyce

Water Vapor Passivation of Poly-Si Thin Film Solar Cells

Popis výsledku anglicky

Samples prepared by CSG Solar AG were annealed in water vapour - structure of these solar cells will be presented - innovative approach for back-side metallization of pn junction was used. Surface of samples seem etched after annealing in water vapour, but no significant improvement of open-circuit voltage Voc was observed. Amorphous silicon deposited on a quartz substrate by solid phase crystallization was crystallized to prepare a poly-Si layer. Further investigation is focused on preparation of a complete pin poly-Si solar cell structure. Current-voltage characterisations were measured before and after annealing in water vapour by Suns-Voc method modified to investigate thin film solar cells without metalization.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

XII. Tradiční workshop doktorandů a mladých vědeckých pracovníků

ISBN

978-80-248-2664-6

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

55-58

Název nakladatele

Vysoká škola báňská

Místo vydání

Ostrava

Místo konání akce

Ostrava

Datum konání akce

25. 4. 2012

Typ akce podle státní příslušnosti

CST - Celostátní akce

Kód UT WoS článku

—