Water Vapor Passivation of Poly-Si Thin Film Solar Cells

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F12%3A00193829" target="_blank" >RIV/68407700:21230/12:00193829 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Water Vapor Passivation of Poly-Si Thin Film Solar Cells

Popis výsledku v původním jazyce

Water vapor passivation would be a promising treatment for thin film solar cells. A consistent plan for investigation of passivation procedure and also some heretofore reached results are proposed in this article. Two approaches are presented - water vapor passivation of poly-Si samples produced by CSG Solar AG and of our own-made samples. Surface of the CSG Solar's samples seemed etched after the vapour treatment (3hours, 3 bars, 145°C), but no significant change in Voc of solar cells was observed. Novel approach for contacting the bottom layer of pn junction for measurement of current-voltage (IV) characteristics by Suns-Voc method will be presented.

Název v anglickém jazyce

Water Vapor Passivation of Poly-Si Thin Film Solar Cells

Popis výsledku anglicky

Water vapor passivation would be a promising treatment for thin film solar cells. A consistent plan for investigation of passivation procedure and also some heretofore reached results are proposed in this article. Two approaches are presented - water vapor passivation of poly-Si samples produced by CSG Solar AG and of our own-made samples. Surface of the CSG Solar's samples seemed etched after the vapour treatment (3hours, 3 bars, 145°C), but no significant change in Voc of solar cells was observed. Novel approach for contacting the bottom layer of pn junction for measurement of current-voltage (IV) characteristics by Suns-Voc method will be presented.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

POSTER 2012 - 16th International Student Conference on Electrical Engineering

ISBN

978-80-01-05043-9

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

55-58

Název nakladatele

Czech Technical University in Prague

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Prague

Datum konání akce

17. 5. 2012

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—