Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Pasivace poly-Si tenkovrstvých solárních článků ve vodní páře

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00391045" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00391045 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    čeština

  • Název v původním jazyce

    Pasivace poly-Si tenkovrstvých solárních článků ve vodní páře

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Vzorky polykrystalických křemíkových (poly-Si) solárních článků vyrobené firmou CSG Solar byly pasivovány ve vodní páře. Solární články po pasivaci připomínaly svým vzhledem články leptané ve směsi kyselin běžně používané na odstranění vrchní p+ vrstvy pro kontaktování spodní n+ vrstvy. Ačkoliv nebylo pozorováno výraznější zlepšení napětí naprázdno Voc, leptací efekt poly-Si ve vodě může stanovit horní hranice teploty, tlaku a doby vhodné pro pasivaci s minimálním negativním dopadem na článek. V neposlední řadě je prezentován také inovativní způsob kontaktování spodní n+ vrstvy na skle pro měření volt-ampérových charakteristik Suns-Voc metodou.

  • Název v anglickém jazyce

    Annealing of thin film polycrystalline silicon solar cells in water vapour

  • Popis výsledku anglicky

    Samples of thin film polycrystalline silicon solar cells prepared by the Company CSG Solar AG were treated in water vapour. Appearance of treated solar cells was very similar to samples etched in a solution of acids, which is commonly used to approach the bottom part of pn junction. No significant improvement of measured open-circuit voltage Voc was observed, but the etching effect of water vapour can determine the upper limit of temperature, pressure and treatment time for water vapour passivation. Novel approach for preparation of a depth profile to approach the bottom part of pn junction is proposed.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2012

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Proceedings of the 7th Czech Photovoltaic Conference

  • ISBN

    978-80-260-2232-9

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

  • Název nakladatele

    Czech RE Agency

  • Místo vydání

    Rožnov pod Radhoštěm

  • Místo konání akce

    Brno

  • Datum konání akce

    3. 5. 2012

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    CST - Celostátní akce

  • Kód UT WoS článku