Differential Evolutionary Optimization Algorithm Applied to ESD MOSFET Model Fitting Problem

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F12%3A00197296" target="_blank" >RIV/68407700:21230/12:00197296 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?tp=&arnumber=6219043" target="_blank" >http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?tp=&arnumber=6219043</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1109/DDECS.2012.6219043" target="_blank" >10.1109/DDECS.2012.6219043</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Differential Evolutionary Optimization Algorithm Applied to ESD MOSFET Model Fitting Problem
Popis výsledku v původním jazyce
The aim of this paper is to present the utilization of modern optimization algorithm called Differential Evolution to automatically fit the appropriate Electrostatic discharge (ESD) model to the measured data from a test chip without the need of manual model-parameter tuning, which presents very time and resource-consuming process. In this paper, the optimization procedure and the results of fitting the generic process NMOST model to the piece-wise linear I-V characteristic are presented.
Název v anglickém jazyce
Differential Evolutionary Optimization Algorithm Applied to ESD MOSFET Model Fitting Problem
Popis výsledku anglicky
The aim of this paper is to present the utilization of modern optimization algorithm called Differential Evolution to automatically fit the appropriate Electrostatic discharge (ESD) model to the measured data from a test chip without the need of manual model-parameter tuning, which presents very time and resource-consuming process. In this paper, the optimization procedure and the results of fitting the generic process NMOST model to the piece-wise linear I-V characteristic are presented.

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F09%2F1601" target="_blank" >GA102/09/1601: Inteligentní mikro a nano struktury pro mikrosenzory realizované s využitím nanotechnologií</a><br>
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Proceedings of the 2012 IEEE 15th International Symposium on Design and Diagnostics of Electronic Circuits and Systems (DDECS)
ISBN
978-1-4673-1185-4
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
155-158
Název nakladatele
IEEE Computer Society Press
Místo vydání
New York
Místo konání akce
Tallinn
Datum konání akce
18. 4. 2012
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)