Utilization fo Differential Evolutionary Optimization Algorithm for ESD MOSFET Model Fitting

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F12%3A00197298" target="_blank" >RIV/68407700:21230/12:00197298 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://www.imaps.cz/eds/" target="_blank" >http://www.imaps.cz/eds/</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Utilization fo Differential Evolutionary Optimization Algorithm for ESD MOSFET Model Fitting

Popis výsledku v původním jazyce

The aim of this paper is to present the utilization of modern optimization algorithm called Differential Evolution to automatically fit the measured data from test chip to the appropriate electrostatic discharge (ESD) model without the need of manual model-parameters tuning. In contrast with proposed method this traditional approach can be very time- and resource-consuming. Results of fitting the technology-optimized macro-model of NMOST to the simple piece-wise linear model of MOSFET snapback I-V characteristic will be presented.

Název v anglickém jazyce

Utilization fo Differential Evolutionary Optimization Algorithm for ESD MOSFET Model Fitting

Popis výsledku anglicky

The aim of this paper is to present the utilization of modern optimization algorithm called Differential Evolution to automatically fit the measured data from test chip to the appropriate electrostatic discharge (ESD) model without the need of manual model-parameters tuning. In contrast with proposed method this traditional approach can be very time- and resource-consuming. Results of fitting the technology-optimized macro-model of NMOST to the simple piece-wise linear model of MOSFET snapback I-V characteristic will be presented.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of Electronic Devices and Systems EDS 2012

ISBN

978-80-214-4539-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

33-38

Název nakladatele

VUT v Brně, FEKT

Místo vydání

Brno

Místo konání akce

Brno

Datum konání akce

28. 6. 2012

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—