Gated Graphene Electrical Transport Characterization

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F12%3A00197323" target="_blank" >RIV/68407700:21230/12:00197323 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://ctn.cvut.cz/ap/" target="_blank" >http://ctn.cvut.cz/ap/</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Gated Graphene Electrical Transport Characterization

Popis výsledku v původním jazyce

Graphene is a very interesting new material, and promises attractive applications in future nanodevices. It is a 2D carbon structure with very interesting physical behavior. Graphene is an almost transparent material that has higher carrier mobility thanany other material at room temperature. Graphene can therefore be used in applications such as ultrahigh-speed transistors and transparent electrodes. In this paper, we present our preliminary experiments on the transport behavior of graphene at room temperature. We measured the resistivity of Hall-bar samples depending on gate voltage (backgated graphene). Hysteresis between the forward and backward sweep direction was observed.

Název v anglickém jazyce

Gated Graphene Electrical Transport Characterization

Popis výsledku anglicky

Graphene is a very interesting new material, and promises attractive applications in future nanodevices. It is a 2D carbon structure with very interesting physical behavior. Graphene is an almost transparent material that has higher carrier mobility thanany other material at room temperature. Graphene can therefore be used in applications such as ultrahigh-speed transistors and transparent electrodes. In this paper, we present our preliminary experiments on the transport behavior of graphene at room temperature. We measured the resistivity of Hall-bar samples depending on gate voltage (backgated graphene). Hysteresis between the forward and backward sweep direction was observed.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GAP108%2F11%2F0894" target="_blank" >GAP108/11/0894: Růst a zpracování gafenových vrstev na karbidu křemíku</a><br>

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Acta Polytechnica

ISSN

1210-2709

e-ISSN

—

Svazek periodika

52

Číslo periodika v rámci svazku

5

Stát vydavatele periodika

CZ - Česká republika

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

76-79

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—