Gated Graphene Electrical Transport Characterization

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F12%3A00200396" target="_blank" >RIV/68407700:21230/12:00200396 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://radio.feld.cvut.cz/conf/poster2012/" target="_blank" >http://radio.feld.cvut.cz/conf/poster2012/</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Gated Graphene Electrical Transport Characterization

Popis výsledku v původním jazyce

Graphene is very interesting new material and promises attractive application in future nanodevices. It is 2D carbon structure with very interesting physical behavior. Graphene is nearly transparent material which has higher carrier mobility than any other material at room temperature. So graphene can be used in application such as ultrahigh-speed transistors and transparent electrodes. In this paper we present our first experiments of transport behavior of graphene at room temperature. We measured resistivity of prepared Hall-bar samples depending on gate voltage (back gated graphene). Hysteresis between forward and backward sweep direction was observed.

Název v anglickém jazyce

Gated Graphene Electrical Transport Characterization

Popis výsledku anglicky

Graphene is very interesting new material and promises attractive application in future nanodevices. It is 2D carbon structure with very interesting physical behavior. Graphene is nearly transparent material which has higher carrier mobility than any other material at room temperature. So graphene can be used in application such as ultrahigh-speed transistors and transparent electrodes. In this paper we present our first experiments of transport behavior of graphene at room temperature. We measured resistivity of prepared Hall-bar samples depending on gate voltage (back gated graphene). Hysteresis between forward and backward sweep direction was observed.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

POSTER 2012 - 16th International Student Conference on Electrical Engineering

ISBN

978-80-01-05043-9

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

Czech Technical University in Prague

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Prague

Datum konání akce

17. 5. 2012

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—