Point Defects in 4H-SiC Epilayers Introduced by 4.5 MeV Electron Irradiation and Their Effect on Power JBS SiC Diode Characteristics
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F14%3A00206368" target="_blank" >RIV/68407700:21230/14:00206368 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.205-206.451" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.205-206.451</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/SSP.205-206.451" target="_blank" >10.4028/www.scientific.net/SSP.205-206.451</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Point Defects in 4H-SiC Epilayers Introduced by 4.5 MeV Electron Irradiation and Their Effect on Power JBS SiC Diode Characteristics
Popis výsledku v původním jazyce
the paper deals with investigation of the point defects in 4H-SiC epilayers introduced by 4.5 MeV electron irradiation and their effects on power JBS SiC diode characteristics.
Název v anglickém jazyce
Point Defects in 4H-SiC Epilayers Introduced by 4.5 MeV Electron Irradiation and Their Effect on Power JBS SiC Diode Characteristics
Popis výsledku anglicky
the paper deals with investigation of the point defects in 4H-SiC epilayers introduced by 4.5 MeV electron irradiation and their effects on power JBS SiC diode characteristics.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GAP102%2F12%2F2108" target="_blank" >GAP102/12/2108: Poruchy v širokopásových polovodičích a jejich význam pro výkonovou a vysokoteplotní elektroniku</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XV
ISBN
978-3-03785-824-0
ISSN
1012-0394
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
451-456
Název nakladatele
Trans Tech Publications
Místo vydání
Durnten-Zurich
Místo konání akce
Oxford
Datum konání akce
22. 9. 2013
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
000336338000067