Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Investigation of optical properties of SiC/(SiC)1-x(AlN)x heterostructures

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F11%3APU95372" target="_blank" >RIV/00216305:26220/11:PU95372 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Investigation of optical properties of SiC/(SiC)1-x(AlN)x heterostructures

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In this study the optical properties of SiC/(SiC)1-x(AlN)x heterostructures were investigated. The photoluminescence spectrum of (SiC)1-x(AlN)x samples at different temperatures and also the dependence of photoluminescence on wavelength of exciting lightwere studied. Absorption factor is defined using measured values of transmitting efficiency. The results of study of morphology and composition of obtained samples confirm growth regularity in single-crystal phase. It was observed that n-SiC/p-(SiC)1-x(AlN)x begins to shine at reverse voltage that a little exceed the voltage of irreversible breakdown.

  • Název v anglickém jazyce

    Investigation of optical properties of SiC/(SiC)1-x(AlN)x heterostructures

  • Popis výsledku anglicky

    In this study the optical properties of SiC/(SiC)1-x(AlN)x heterostructures were investigated. The photoluminescence spectrum of (SiC)1-x(AlN)x samples at different temperatures and also the dependence of photoluminescence on wavelength of exciting lightwere studied. Absorption factor is defined using measured values of transmitting efficiency. The results of study of morphology and composition of obtained samples confirm growth regularity in single-crystal phase. It was observed that n-SiC/p-(SiC)1-x(AlN)x begins to shine at reverse voltage that a little exceed the voltage of irreversible breakdown.

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/LH11060" target="_blank" >LH11060: Studium lokálních elektronických a optických charakteristik solárních článků</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2011

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    Photonics Prague 2011. The 7th International Conference on Photonics, Devices and Systems

  • ISBN

    978-80-86742-30-4

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    2

  • Strana od-do

    75-76

  • Název nakladatele

    Zeithamlová Milena Ing.- Agentura Action M

  • Místo vydání

    Praha

  • Místo konání akce

    Praha

  • Datum konání akce

    24. 8. 2011

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    WRD - Celosvětová akce

  • Kód UT WoS článku